这样的设备，现在就“藏”在坐落浙江大学杭州世界科创中心（简称科创中心）的晶驰机电科技有限公司总部。

  近期，在研制团队人员的不懈努力下，晶驰机电自主研制的“电阻法碳化硅单晶成长设备”经过立异热场计划完结12寸多晶成长验证，这也是国产设备在大尺度碳化硅衬底技能攻坚中的又一突破性效果。

  与传统的硅资料比较，碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率，可在高温、高电压条件下安稳作业，已成为新能源与半导体工业迭代晋级的要害资料。但现在，衬底资料本钱“居高不下”的问题却严峻阻止着碳化硅器材大规模使用。

  晶驰机电研制总监赵聪介绍道：“与市面上遍及的6英寸和8英寸的衬底比较，12英寸碳化硅衬底资料扩展了单片晶圆上可用于芯片制作的面积。也就是在平等出产条件下，芯片产值显着提高，那么单位芯片制作本钱也会显着下降。”把碳化硅长晶炉幻想成烤箱，烤制的蛋糕尺度不同，所需工艺也有不同。烘焙如此，更不用说长晶这样需求严控、层层把关的技能。8英寸和12英寸单晶成长的参数设置、热场散布，乃至晶炉内部装备的坩埚都有不同。

  赵聪带领着研制团队从去年初就开端了高强度的研制攻关：“咱们这款长晶设备是选用电阻式PVT办法成长碳化硅晶锭，以立异的结构和热场规划，结合最先进的进程操控理论和自动化操控办法，完结了均匀的径向温度和宽规模精准可调的轴向温度梯度，并能完结长晶进程中工艺参数的精准操控和设备正常运转的高度智能化，无论是8英寸仍是12英寸，都能无缝‘一键切换’。”与传统出产不同，此次晶驰完结了同一台设备既可安稳量产8英寸碳化硅单晶，又彻底具有成长12英寸碳化硅单晶的才能。

  经过该设备成长出来的晶锭形状完美，外表微凸度精准操控在2.4mm以内。炉间工艺安稳、操作办法简略，可完结快速投产；整个工艺流程悉数自动化操控，合适工业化使用。这不只更灵敏适用于未来大尺度碳化硅衬底的规模化量产，还大起伏的下降了芯片的制作本钱，进一步促进职业降本增效。